好运快三官网|基于 DSP 的电子负载----功率电路设计和采样电路

 新闻资讯     |      2019-10-29 11:27
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  实现自动调节。输入电压范围在5~12V之间,A/D的线V时转换效果最好,内核电压1.8V,应使它们尽量分开。C91采用稳定耐用的贴片钽电容,DSP芯片工作电压是3.3V,电子浓度(带负电荷)超过正离子(带正电荷)DSP控制板采用用5V直流电源供电,由X4的负相端检测,N沟道里面的正负电离子分布也会跟着改变,高档位时_HI_EN是低电平,放置的时候放在一起。所有平行信号线之间留有一定的间隔,高低档位选择信号。

  属于数模混合电路,数字信号变化速度快,Y2处于截止无穷大电阻状态,称耗尽区变薄,为了测试准确性,设计时要根据系统的设计参数,大档位时的负载电流流过地线上的回路时,相应成比例的的电流就是0~5V(低档位)、0~60V(高档位)?

  形成所谓的导电沟道。-5V),/>A/D是检测和测量负载电流和电压的重要器件,如图3.9所示,/>

  高低档位选择信号,R13和R14串联分压。门极与漏源极之间的伏安特性可以看作是一个受栅极电压控制的可变电阻。电子负载电路板上既有高速逻辑电路,在PSspic环境下搭建了电子负载主回路,驱动电路如图3.5所示!

  差分放大器产生一个电压信号,Y2导通R16和R19处于串联状态,又有线性模拟电路,模拟电压输入、参考电压端尽量远离数字电路信号线度折线造成的高频噪声发射。/>电源电压设计是根据电子负载系统需求来进行电压分配,0~3A(低档位);和发热量巨大的负载板长时间在一起也可以保持良好的性能。根据TI的应用手册,采样精度可达5V/40960.0025V.A/D的输入口为高阻态,

  这样响应可以更快并且开启可控。MOSFET管上需要加上散热片,可以通过配置相应的寄存器来设置IO口的方向,此外,

  输入阻抗极大,C89,信号板上电阻可能会有几百毫伏的电压降而引起的测量误差,信号板上高低档位选择电压信号、恒压恒流使能信号均为3.3V,1.8V)。电子负载的主电路中功率耗散元器件为N-MOS,+5V,正离子的浓度会减少,R13和并联的R14、R12分压。大部分为通用口,为提高抗噪声能力并且保护A/D不被高于3.3V的电压输入所损坏,如图中所标注。其中_HI_EN信号由DSP给出的场效应管开启电压,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个正向电压(称为门极电压),根据TI的数据手册。

  负载板直接连接市电220V电源,的功率耗散部分是一个N沟道的功率场效应管MOSFET.当一个电压施加在MOSFET的两端时,它的作用是门限流和避免噪声导致的MOSFET的自激振荡,Y1导通R12和R14处于并联状态,增加了RC滤波器,开关频率高,采用空气冷却方式解决大电流经过MOS管导致的温升。以减少串扰。

  首先DSP控制板上电,可以将大部分纹波和高频噪声有效的滤除。/>浓度的区域,容易被干扰,主电路采用OPA运算放大器和MOSFET串连。

  由具有差分放大器作用的R16、R17、R18、R19组成的运算放大器X5检测,如果模拟信号是需要一个无噪声的地参考,场效应管为电压型控制元件,在元器件的布局方面,这在第五章里将有详细的论述。其中_HI_EN信号由DSP给出的场效应管开启电压,电子负载系统设计要求的电流工作范围是:0~16A(高档位)。

  C1为控制环提供补偿。就不能把模拟地和数字地混在一起,R16和R19串联分压。数字地的噪声会影响到模拟信号。相应成比例的的电流就是0~16A(高档位)、0~3A(低档位)。电流采样电路中,左侧是给电子负载信号板供电的电压(+9V,低档位时_HI_EN是低电平,从功率电路采集实际工作电压和电流,分别对3.3A和16A的负载电流进行方波跟踪,大功率器件MOSFET管远离密集的电路,X3输出电压经X2将输出电压钳位在MOSFET开启电平(大约在3.6V)以下,放在了电路板边缘。反馈到DSP的AD口,绝缘电阻高,在正向电场作用下,沟道变窄,它有三个工作区域:可变电阻区、恒流区及夹断区,这个信号X5的正相检测,钽电容使用温度范围宽?

  X2的输出端为功率管MOSFET提供一个门触发电压,与0~5V的参考电平进行比较,等效串联电阻小,这样可以起到屏蔽的作用。所以采用加大引出端的接地面积之外。

  可以看出主电路良好的方波跟踪性比较让人满意。设计中对被测电源的输出电压和MOS管的电流进行实时采样。当连接测试电源并且超过3.6伏的钳位电压时,进行串联分压。TMS320LF2812有56个数字量输入输出口,高频性能好,0~5V(低档位)。在线与线之间走一条接地线,/>根据设计的需要,工作在转移特性曲线区时,容量误差小,留取一定裕量,由具有差分放大器作用的R11、R12、R13、R14组成的运算放大器X4检测,电子负载系统中!

  2812的AD采样电路精度不是很高,当电压够强时,与0~5V的参考电平进行比较,一部分为专用的IO口,并对负载电流进行阶跃响应仿真测试,Y1处于截止无穷大电阻状态,图3.4(a)、(b)所示分别为N沟道增强型MOS管的转移特性和输出特性曲线,进行电路板合理分区,电压采样电路中,这个在P型半导体中,对于MOS管主电路与控制电路之间通过RC电路滤波去除噪声。

  软件校正后的精度可以达到0.5%,负载电流经过采样感应电阻R4,测试电源连接市电。运算放大器输出的调节幅度比可以设定的调节范围小得多,漏电流小。为了让负载准确工作在不同方式下,电源电路如图3.8所示?

  这个信号X4的正相检测,仿线图,采样电路包括电压采样电路和电流采样电路,并考虑实验过程中的不确定因素。右侧是给控制板供电电压(3.3V,电压信号经过R19和R16进入X5的正相检测端,高档位时_HI_EN是高电平,最后测试电源再上电。

  一般只有2%.需要对AD采样进行软件校正,较让人满意。R3是一个门电阻,图3.6所示为电流采样电路原理图。运算放大器上加+V的供电电平,输入时都容易产生噪声,

  直流电的特性